台积电3nm良率难提升 多版本3nm工艺在路上


本文摘自中关村在线,侵删。

近日,关于台积电3nm工艺制程有了新消息,据外媒digitimes最新报道,半导体设备厂商透露,台积电3纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正3纳米蓝图。

实际上,随着晶体管数量的堆积,内部结构的复杂化,3nm工艺制程的良品率确实很难快速提升,达成比较好的量产水平。

台积电3nm良率难提升 多版本3nm工艺在路上

因此,台积电或将规划包括N3、N3E与N3B等多个不同良率和制程工艺的技术,以满足不同厂商的性能需求,正如同去年苹果在A15上进行不同芯片性能阉割一致,即能满足量产需求,还能平摊制造成本,保持利润。

此外,还有消息称台积电将在2023年第一季度开始向苹果和英特尔等客户运送3纳米芯片,第一批采用3nm芯片的苹果设备预计会在2023年首次亮相。

至于3nm到底何时才能正式亮相,我们还将持续观察。

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