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SK海力士研发出世界上最快的服务器内存模块DRAM

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韩国芯片制造商SK海力士周四表示,它已经开发出世界上最快的服务器内存模块,大大提高了市场上现有模块芯片的运行速度。新产品DDR5 Multiplexer Combined Ranks Dual in-line Memory Module拥有至少每秒8吉比特的数据传输速率,比当前DDR5芯片的4.8吉比特快了近80%。SK海力士与全球芯片巨头英特尔和瑞萨合作开发,表示他们的工程师专注于提高模块的速度,而不是DRAM芯片本身。 (韩国先驱报)

三星公布内存路线图:2027年DDR6内存将突破10Gbps
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三星公布内存路线图:2027年DDR6内存将突破10Gbps

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如上图所示,在即将到来的2023年,三星将进入1bnm工艺阶段,内存芯片容量将达到24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度将在6.4-7.2Gbps。显存方面,新一代 GDDR7显存将在明年问世,因此AMD和英伟达显卡的新一代显卡的中期改款就有可能会用上GDDR7显存。此外,三星还进行了一些长远的设想,如2026年推出DDR6内存,2027年即实现原生10Gbps的速度。三星也公布了其闪存的路线图,预计将在2024年推出V9NAND芯片。IT之家曾报道,三星在此前的 TechDay2022活动中

美光拟10年投资150亿美元 在美国新建内存芯片工
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美光拟10年投资150亿美元 在美国新建内存芯片工

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9月2日消息,美国当地时间周四,美光宣布将在未来10年投资约150亿美元,在爱达荷州博伊西新建一家内存芯片制造工厂。美光表示,这将是20年来在美国本土新建的首家内存芯片制造厂,也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。该公司预计,这项投资计划...[阅读更多]

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美光分到补贴后宣布2700亿元投资:重振美国内存

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美国日前宣布了总额2800多亿美元的科技补贴法案,其中针对半导体领域的就有520多亿美元,开始给美国的芯片行业输血补贴,美光公司也是被邀请参与的企业之一,作为对官方补贴的回报,美光也宣布了400亿美元的投资计划。