新思科技与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术

本文摘自太平洋电脑网,原文地址:https://news.pconline.com.cn/1432/14324305.html,侵删。

新思科技(Synopsys)近日宣布,其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3纳米(nm)环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积(PPA)方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果,旨在加快提供高度优化的参考方法学,实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。

新思科技与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术

新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform,包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程,以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户,可在高性能计算(HPC)、5G、移动应用和人工智能 (AI) 应用领域, 为下一代设计实现理想PPA目标。

三星晶圆设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:“三星晶圆是推动下一阶段行业创新的核心,我们基于工艺技术的持续演进,来满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。我们全新的先进3纳米GAA工艺得益于我们与新思科技的广泛合作,Fusion Design Platform让我们加速实现3纳米工艺的前景,这也充分彰显了与行业领先者合作的重要性和优势。"

根据摩尔定律,晶体管尺寸要进一步缩小,而GAA架构为更高的晶体管密度提供了经过流片验证的途径。GAA架构改进了静电特性,从而可提高了性能并降低了功耗,并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合,扩大了优化解决方案的空间,从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作,加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能,从而在新思科技的Fusion Compiler和IC CompilerII中实现了全流程、高收敛度优化。

新思科技与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术

不断优化的新思科技Fusion Design Platform为应对来自先进节点的各种挑战提供了完美的解决方案,这些挑战包括复杂的库单元摆放和布局规划规则、新的布线规则和更加明显的工艺变化。基于单一数据模型以及共享通用优化架构,Fusion Design Platform平台可确保单点技术更新也能够帮助设计的优化收敛、尽可能消除系统裕度,以实现更快的收敛周期。

新思科技数字设计事业部总经理Shankar Krishnamoorthy表示:“GAA晶体管结构是工艺技术进步的关键转折点,对于延续工艺进步趋势至关重要,为下一波超大规模创新提供保障。我们与三星晶圆的战略合作,旨在共同提供一流的技术和解决方案,确保工艺进步趋势的延续,为更广泛的半导体行业带来全新机会。"

关于3纳米GAA工艺的新思科技技术文档可通过三星晶圆获取。新思科技Fusion Design Platform中经过验证的关键产品包括:

*PrimeTime业界金牌标准时序签核解决方案 

*StarRC寄生参数提取-签核解决方案 


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