海力士推出1anm工艺,可制造低功耗LPDDR4-4266内存

本文摘自太平洋电脑网,原文地址:https://news.pconline.com.cn/1432/14326361.html,侵删。

据外媒 Neowin 消息,韩国芯片制造商 SK 海力士今日宣布,已经利用 EVU 极紫外光光刻机,研发出 1anm 芯片制造工艺 。这项技术相比 2019 年推出的 1znm 工艺,密度更大,制成的芯片功耗更低。

官方表示,该技术可以在相同的晶圆面积下,获得多达 25% 的芯片产量提升。

海力士 1anm 技术可以使得目前智能手机广泛使用的 LPDDR4 内存芯片达到 4266Mbps 的高速度,与更先进的 LPDDR4X 芯片频率一致。不仅如此,采用新工艺的内存芯片功耗可以降低多达 20%。

据了解到,搭载海力士最新 1anm 工艺内存芯片的智能手机,预计将在今年下半年上市。海力士未来还会将该工艺应用于 LPDDR5 内存的生产上。

海力士推出1anm工艺,可制造低功耗LPDDR4-4266内存


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