海力士推出1anm工艺,可制造低功耗LPDDR4-4266内存


本文摘自太平洋电脑网,原文地址:https://news.pconline.com.cn/1432/14326361.html,侵删。

据外媒 Neowin 消息,韩国芯片制造商 SK 海力士今日宣布,已经利用 EVU 极紫外光光刻机,研发出 1anm 芯片制造工艺 。这项技术相比 2019 年推出的 1znm 工艺,密度更大,制成的芯片功耗更低。

官方表示,该技术可以在相同的晶圆面积下,获得多达 25% 的芯片产量提升。

海力士 1anm 技术可以使得目前智能手机广泛使用的 LPDDR4 内存芯片达到 4266Mbps 的高速度,与更先进的 LPDDR4X 芯片频率一致。不仅如此,采用新工艺的内存芯片功耗可以降低多达 20%。

据了解到,搭载海力士最新 1anm 工艺内存芯片的智能手机,预计将在今年下半年上市。海力士未来还会将该工艺应用于 LPDDR5 内存的生产上。

海力士推出1anm工艺,可制造低功耗LPDDR4-4266内存

相关阅读 >>

注射器顺应性是压力下公称容量容量的变化?

特斯拉季末冲击销量!model s/x美国市场降价800

23岁的国民社交软件同比下滑7%!

intel发布至强w-3300:10nm 38核心

美股周四:三大股指全线下跌,“蔚小理”均上涨

重庆市经信委:面向矿山、农业、建筑领域征集机器人典型应用场景

你钱包准备好了吗?iphone15系列7月开启备货

人多的手游传奇是哪款 人气最高的传奇手游排行榜

抖音电商:一年卖出239亿单商品,封禁超300万件

2021年中国gdp增长8.1% 超114万亿元:人均超8万元

更多相关阅读请进入《新闻资讯》频道 >>



打赏

取消

感谢您的支持,我会继续努力的!

扫码支持
扫码打赏,您说多少就多少

打开支付宝扫一扫,即可进行扫码打赏哦

分享从这里开始,精彩与您同在

评论

管理员已关闭评论功能...