耗资3.2万亿卢布 俄罗斯将在2030年实现28nm芯片国产


本文摘自太平洋电脑网,原文链接:https://news.pconline.com.cn/1495/14953614.html,侵删。

        据俄罗斯媒体报道,该国已经制定了庞大的芯片替代计划,希望在 2030 年前投资 3.19 万亿卢布,约合 2464 亿人民币实现 28nm 工艺的芯片设计及制造。

        这个计划早在今年 2 月份就有了初步版本,内容非常庞杂,涉及到半导体产业的多个方面,从芯片设计到芯片制造,再到半导体人才无所不包。

       在芯片设计上,俄罗斯计划启动重新设计国外开发的芯片,并将生产转移到俄罗斯及中国,预计在 2024 年实现所有领域 100% 的进口替代, 2030 年形成俄罗斯自己的技术产品组合,这个项目耗资大约是 1.14 万亿卢布。

       基础性的芯片制造预计投资 4600 亿卢布,预计今年开始生产 90nm 工艺的芯片, 2030 年掌握 28nm 工艺生产——台积电早在 2010 年就量产了 28nm 工艺,不过考虑到俄罗斯的基础, 8 年后掌握 28nm 芯片生产并不算过分的要求,还是有可能实现的。

       俄罗斯不仅重视芯片设计和制造,同样也会重点关注市场,预算中的 1.28 万亿卢布就是用于提高市场需求,计划 2030 年将俄罗斯电子产品在家庭中的覆盖率提升到 30% ,公共采购市场则要达到 100% 。

       还有一个就是人才培养,这部分的投资预算是 3090 亿卢布,计划创建 400 个电子产品原型,开展 2000 多个研究项目,大学生的转化率从 5% 提升到 35% ,同时还要培育 1000 个以研究中心为基础的项目团队。

耗资3.2万亿卢布 俄罗斯将在2030年实现28nm芯片国产

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