本文摘自太平洋电脑网，原文链接：https://news.pconline.com.cn/1470/14704545.html，侵删。
作为全球 NAND 闪存市场的一哥，三星在 3D 闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代 V-NAND 的细节，堆栈层数超过 200 层，容量可达 1Tbit ， 512GB 容量的厚度也只有 0.8mm ，可用于手机。
三星的 V-NAND 闪存现在演员发展到了第七代 V-NAND V7 ，堆栈层数 176 层， TLC 版核心容量 512Gbit ， 而即将推出的 V-NAND V8 层数将超过 200 ——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是 228 层，提升 30% 左右，存储密度提升了 40% 左右。
得益于存储容量更大 . V-NAND V8 闪存的厚度依然可以控制在合理水平， 封装 512GB 容量也不超过 0.8mm ，可以用于新一代智能手机。
在未来，三星的 V-NAND 闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过 500 层，这被视为 3D 闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造 1000 层堆栈的 3D 闪存。
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