半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了


本文摘自太平洋电脑网,原文链接:https://news.pconline.com.cn/1472/14727105.html,侵删。

当前,量产的晶体管已经进入4nm尺度,3nm研发也已经冻结进入试产。

在11月于日本举办的线上ITF大会上,半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。

半导体10年内进入埃米时代:靠ASML新EUV光刻机了

微观晶体管结构层面,imec试图在14?节点使用Forksheet结构(p型和n型纳米片晶体管成对排列,类似于用餐的叉子),10?节点试图采用CEFT结构,1纳米(10?)以下计划采用原子形状的沟道,依赖Mo(钼)、W(钨)、X为硫、Se硒、Te(碲)等2D材料和High NA(高数值孔径)EUV光刻机来实现。

说到High NA EUV光刻机(0.55NA),一号原型机(EXE:5000)将在2023年由ASML提供给imec的联合实验室,2026年量产,从而服务1nm及更先进的节点。

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