研究发现:碳化硅中的铬缺陷,可用于制造高质量的自旋量子比特


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研究发现:碳化硅中的铬缺陷,可用于制造高质量的自旋量子比特

众做周知,量子计算机或将能解决传统超级计算机无法解决的科学问题,是当前比较热门的研究领域。目前,科学家正在研究几种用于量子计算和传感应用的量子系统。其中,自旋量子位是一个重要研究对象,指的是基于构成量子位的半导体材料中的缺陷位点处对电子自旋方向的控制。

为了弄清楚碳化硅中的铬缺陷是否可以作为潜在的自旋量子比特,美国的科学家进行了一项研究。他们将铬离子植入碳化硅中,然后将其加热到1600摄氏度以上。最终,产生了一种具有更高量子比特质量的自旋材料。

随着研究人员继续寻找理想的量子比特,同样的方法可以用来制造钒或钼缺陷。

研究人员表示,要想实现实用的量子计算、通信和传感,必须克服许多挑战。一方面,需要更好地理解各种类型量子比特的基本限制。自旋量子比特非常有趣,因为与许多其他类型的量子比特相比,电子自旋可以长时间存储信息。

此外,这些量子比特可以在室温下运行,并且可以使用光学器件进行控制和读取。光学接口对于量子计算机的发展非常重要,因为光子可以使用现有的电信光纤网络长距离传输量子信息。

前瞻经济学人APP资讯组

参考资料:https://www.eurekalert.org/news-releases/940260

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