英特尔欲借堆叠叉片式晶体管技术 实现亚3nm芯片制造


本文摘自太平洋电脑网,原文链接:https://news.pconline.com.cn/1482/14825226.html,侵删。

在帕特·基辛格的带领下,英特尔推出的 12 代 Alder Lake 处理器已经取得了巨大的成功。与此同时,该公司也在努力展望未来技术。 比如近日于网络上复现的一项专利,就暗示了这家芯片巨头或借助“堆叠叉片式”(Stacked Forksheet)晶体管技术来延续摩尔定律。

英特尔欲借堆叠叉片式晶体管技术 实现亚3nm芯片制造

环栅(Gate-All-Around)晶体管或是英特尔延续摩尔定律的一个关键

为了应对 AMD 锐龙 CPU 竞品在台式机市场的大翻盘,英特尔正借 12 代 Alder Lake 处理器终结这一局面。炒作之余,英特尔仍需一些时日来重新摘取芯片制造的王冠。

过去几月,该公司陆续公布了多项新工艺和封装技术。其中包括新型 3D 晶体管、Foveros 封装 / 逻辑集成、以及 EMIB 嵌入式多芯片互联桥接等。

最新曝光的专利文档表明,英特尔正在酝酿所谓的“堆叠叉片式晶体管”新技术,且有望成为在 3nm 以下工艺节点有效延续“摩尔定律”的一个关键。

英特尔欲借堆叠叉片式晶体管技术 实现亚3nm芯片制造

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