本文摘自太平洋电脑网，原文链接：https://news.pconline.com.cn/1489/14898388.html，侵删。
日前清华大学宣布，集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破， 首次实现了具有亚 1 纳米栅极长度的晶体管 ，晶体管栅极长度等效 0.34nm 。
据清华大学介绍，目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在 12nm 以上，日本中在 2012 年实现了等效 3nm 的平面无结型硅基晶体管， 2016 年美国实现了物理栅长为 1nm 的平面硫化钼晶体管，而清华大学目前实现等效的物理栅长为 0.34nm 。
为进一步突破 1 纳米以下栅长晶体管的瓶颈，本研究团队巧妙利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的 MoS2 沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为 0.34nm 。
目前全球半导体工业量产的芯片技术还是 7nm 、 5nm 工艺，实验室中有 2nm 甚至 1nm 工艺，那清华大学开发的 0.34nm 晶体管有什么意义呢？
IEEE 官网上也介绍了这次突破，该研究的资深作者、北京清华大学电气工程师任天令在采访中表示，“我们已经实现了世界上最小的栅极长度晶体管”。
“在未来，人们几乎不可能制造小于 0.34 nm 的栅极长度， ” 任天令指出， “ 这可能是摩尔定律的最后一个节点。 ”
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