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在今天的年度业绩说明会上，国产半导体设备公司中微董事长尹志尧提到该公司正在开发新一代的刻蚀设备，可用于 5nm 以下的逻辑工艺、 1Xnm 的 DRAM 芯片和 128 层以上的 3D NAND 芯片等产品。
中微公司透露，公司积极关注下游市场扩产计划并努力争取各种可能的市场机会，公司的刻蚀设备在国内主要客户端市场占有率不断提升。
在逻辑集成电路制造环节，公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65nm 到 5nm 等先进的芯片生产线上； 同时，公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出小于 5nm 刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。
公司目前正在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺，能够涵盖 5nm 以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。
在 3D NAND 芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层和 128 层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖 128 层及以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺。
此外，公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，根据客户的技术发展需求， 正在进行下一代产品的技术研发，以满足 5nm 以下的逻辑芯片、 1Xnm 的 DRAM 芯片和 128 层以上的 3D NAND 芯片等产品的 ICP 刻蚀需求，并进行高产出的 ICP 刻蚀设备的研发。
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