本文摘自太平洋电脑网，原文链接：https://news.pconline.com.cn/1509/15095466.html，侵删。
3D NAND 200 层堆栈以上赛局加速展开，存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家 232 层堆栈 3D NAND 闪存将于 2022 年底前率先量产。
据 DigiTimes 报道，近日市场传言称，长江存储将跳过原定 192 层技术，直接挑战 232 层 NAND，并于 2022 年底量产。
据报道，存储器相关业者指出，如此一来，长江存储可望赶上其他 NAND 大厂如三星电子、铠侠等的脚步，并于 2023 年将逐步拓展 232 层 NAND 产能比重，为全球 NAND 产业竞赛投下重磅炸弹。
据了解到，长江存储已推出 128 层 3D NAND 闪存，此前有消息称已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品。
此外，市场观察人士认为，三星电子预计将在 2022 年晚些时候加入 200 层以上 3D NAND 闪存的竞争。
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