本文摘自太平洋电脑网，原文链接：https://news.pconline.com.cn/1511/15113724.html，侵删。
据 BusinessKorea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA（Gate-all-around）工艺来追赶世界第一大代工公司 —— 台积电。
据悉，GAA 是下一代工艺技术，改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前 FinFET 工艺的三面，GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。
根据 TrendForce 的数据，在 2021 年第四季度，台积电占全球代工市场的 52.1%，远远超过三星电子的 18.3%。
三星电子正押注于将 GAA 技术应用于 3 纳米工艺，以追赶台积电。据报道，这家韩国半导体巨头在 6 月初将 3 纳米 GAA 工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3 纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%，同时与 5 纳米工艺相比，芯片面积减少了 35%。
继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后，三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片，并在 2025 年大规模生产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的 FinFET 工艺进入 3 纳米半导体市场，而三星电子则押注于 GAA 技术。
相关阅读 >>
不会强制升级win11系统 微软pluton安全芯片可完全禁用
台积电将新建四家 3nm 芯片工厂，每家耗资 100 亿美元
传谷歌二代tensor定制芯片继续选用三星4nm工艺制造 或于6月起量产
正式开售！苹果m2芯片macbook pro：9999元~18999！
爆料称欧版galaxy s22系列智能机将无缘骁龙8 gen 1芯片
更多相关阅读请进入《芯片》频道 >>
