所以有一段时间，栅极的发展突飞猛进，大家纷纷用更好的材料，更高的技术来优先缩小栅极的宽度，栅极的发展比摩尔定律的发展更快。
一个有意思的事情：在晶圆厂们130nm工艺的时候，其实栅极宽度约为70nm，那时候栅极的发展，实际快于晶体管技术、整体工艺的的发展。
但遵循摩尔定律，大家没有直接用栅极的宽度来命名工艺制程，还是按照摩尔定律来命名工艺，从这里开始栅极与工艺开始脱钩，栅极工艺命名法第一次暂时失效。
但后来大家也发现，栅极越短，会带来很多的问题，比如漏电导致功耗上升，还会导致性能不稳定，开关门不受控等等后果，最后影响芯片的整体性能。
所以后来栅极的发展就又慢了下来，最后与工艺制程，摩尔定律基本一致，栅极与工艺又一一对应了。
再后来，栅极的发展，又慢于工艺制程、摩尔定律的发展了，哪怕英特尔推出了FinFET晶体管，将晶体管做成立体的，栅极也落后于摩尔定律了，因为栅极无法持续缩短。
这里栅极与工艺制程又开始脱钩了，不过晶圆厂们，再次用摩尔定律的发展，来命名工艺制程了。栅极工艺命名法第二次暂时失效。
台积电研发负责人、技术研究副总经理黄汉森所说的：“现在描述工艺水平的XX纳米说法已经不科学了……制程节点已经变成了一种营销游戏，与科技本身的特性没什么关系了。”
这里其实指就是这个意思：现在的多少纳米，代表的并不是栅极的宽度，而是各晶圆厂，按照摩尔定律推算出来的工艺，每次工艺更新是上一代的0.7倍，至于真正是什么工艺，只有晶圆自己知道，也就有了各大晶圆厂，同一工艺，晶体管密度完全不同的情况出现。
最近有媒体报道称，如果真要按照栅级的宽度来命名纳米工艺，那么台积电、三星的3nm工艺，其栅级实际宽度可能在22nm左右，但现在没人用栅级宽度来命名工艺了。
事实上，我们知道英特尔曾经想严谨的命名的，想保留一下最后的倔强，所以intel的14nm打磨了5年，因为它发现自己工艺的提升，无法与晶体管、栅极对应，所以就不改变工艺节点。
这样就也有了intel的14nm能媲美台积电、三星的10nm，intel的7nm，能媲美台积电的5nm，三星的3nm的事实。
但后来英特尔发现，严谨并没有用，反而给消费者留下一个坏印象，那就是自己的工艺落后了，于是intel改名，改为intel7、intel4、intel3等，正式向台积电、三星们看齐，大家一起来玩这场营销游戏。
下一次栅极与工艺制程什么时候会重合？谁也不清楚，也许再也回不来了，因为这种营销游戏深受市场、客户的喜欢，一用开始了就会让人上瘾，再也戒不掉了。返回搜狐，查看更多
相关阅读 >>
新增12/16nm工艺！日本电装3.5亿美元入股台积电熊本晶圆厂
骁龙8 gen1 plus换台积电代工原因曝光：对三星4nm优势不是一般大
国台办：美方有人扬言“炸毁台积电”尽显无所不用其极的邪恶用心
台积电董事长刘德音：车用高性能运算需求稳定，有些超出供应能力
3nm工艺重大突破 台积电8月量产：苹果iphone 14已错过
更多相关阅读请进入《台积电》频道 >>
