台积电实现了3nm工艺，栅极的发展比摩尔定律发展更快-木庄网络博客

本文摘自浅语科技，原文链接：https://mini.eastday.com/mobile/230204155939224601625.html，侵删。

2022年末，台积电实现了3nm工艺，而在半年之前，三星实现了3nm工艺。

那么问题就来了，3nm工艺究竟代表的是芯片的哪一部分是3nm？估计没有谁能够说清楚，而事实上也是如此，因为与3nm芯片的所有关键指标中，没有一项是3nm。

我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。

而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）、漏极（Drain-电流的出口）、栅极（Gate-开关）。

电流从源极流向漏极，中间要经过栅极，栅极相当于一道门，所以栅极的开关门速度，就代表了这个晶体管的性能，开关门的速度越快，计算就越快，晶体管性能就越强。

而开关门的速度，与栅极的长短有关，栅极越短，电流经过的距离越短，自然速度就越快，这样晶体管的性能也就越强。

所以关键来了，在50年前的时候，芯片界就有了共识，用栅极的宽度，来代表工艺制程的大小，比如150nm工艺，代表的是栅极的宽度是150nm。

后来晶圆厂们就想，既然栅极代表的就是工艺制程，那就是极力的去缩小栅极的宽度，就达到了提升工艺的目标了。

台积电实现了3nm工艺，栅极的发展比摩尔定律发展更快