3D DRAM 是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说，现有 DRAM 产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入 10nm 范围，业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响，业界引进了高介电常数 (高 K) 沉积材料和极紫外 (EUV) 设备等新材料和设备。但半导体行业认为，制造 10nm 或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。
三星电子和 SK 海力士今年实现量产的高端 DRAM 线宽为 12 纳米。考虑到目前 DRAM 线宽微缩至 1nm 将面临的情况，业界认为 3 ~ 4 年后新型 DRAM 商品化将会是一种必然，而不是一种方向。
当然，与现有的 DRAM 市场不同，据IT之家所知 3D DRAM 市场目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。随着 ChatGPT 等人工智能应用产品的活跃，业界也开始增加对高性能、大容量存储半导体的需求。
相信随着三星电子和 SK 海力士开始加快 3D DRAM 技术的商用化，我们未来也将会更多厂商甚至中国厂商推出类似的技术方案和产品，敬请期待。
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