本文摘自人民资讯，原文链接：https://mini.eastday.com/mobile/211117211030920316554.html，侵删。
传统HDD硬盘速度慢，SSD速度快，但是如果存在问题，那便是一次毁所有，连修复和挽回的机会都没有了。是不是有人在想，如果有一款存储颗粒能够达到高耐久度就好了，现在富士通半导体公司有了最新的解决方案，但这个方案却不是面向于民用设计的，而是工业IC存储器。
这颗存储器带有并行接口的新型8Mbit FRAM MB85R8M2TA，这是富士通FRAM产品系列中第一个保证100万亿次读/写周期的产品。与富士通的传统产品相比，新产品既实现了高速运行，读写速度提高了约30%，又实现了低功耗，工作电流降低了10%。如果真正投入使用的话，势必会减少设备损耗，维持工业设备的高速运转。
来源：中关村在线
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