ASML下一代EUV光刻机提前量产:Intel抢首发


本文摘自太平洋电脑网,原文链接:https://news.pconline.com.cn/1474/14742506.html,侵删。

在上月的ITF大会上,半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布的蓝图显示,2025年后晶体管进入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1纳米),其中2025对应A14(14Å=1.4纳米),2027年为A10(10Å=1nm)、2029年为A7(7Å=0.7纳米)。

据悉,相较于当前0.33NA的EUV光刻机,0.55NA有了革命性进步,它能允许蚀刻更高分辨率的图案。

分析师Alan Priestley称, 0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元(约合19亿) ,是当前0.33NA的两倍。

早在今年7月,Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户,Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法,并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。

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