3nm比5nm提升多少?台积电公布三大关键指标


本文摘自太平洋电脑网,原文链接:https://news.pconline.com.cn/1476/14766305.html,侵删。

近年来,摩尔定律正在逐渐消失的说法不绝于耳。但台积电用工艺证明,摩尔定律不死,仍在持续往前推进。

工艺越先进,晶体管微缩越困难。此前,联电、格芯相继放弃10nm以下的先进制程的研发,Intel也在工艺制程上持续放缓。

据芯智讯消息,12月22日举办的中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛上,台积电(南京)有限公司总经理罗镇球表示,台积电正在用新工艺证明了摩尔定律仍在持续往前推进。

罗镇球介绍, 台积电的7nm是在2018年推出的,5nm是在2020年推出的 , 我们在2022年会如期推出3nm的工艺,而且我们2nm的工艺也在顺利研发。

对于工艺制程来说, 最关键的指标有三个:性能、功耗和密度(单位面积内的晶体管数量)。

罗镇球称,台积电从7nm到5nm再到3nm,单位面积里面的晶体管数相比上一代都是会增长1.7到1.8倍,性能部分每代都会提升高超过10%。同样性能情况下,功耗可以降低20%以上。

对于3nm量产困难的传闻,罗镇球表示, 那些都只是传闻,会如期(2022年)量产3nm。

台积电官方资料显示, 台积电的3nm相比上一代的5nm工艺,在逻辑密度上提升了1.7倍,性能提升了11%,同等性能下功耗可降低25-30% 。

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