本文摘自太平洋电脑网，原文链接：https://news.pconline.com.cn/1484/14841867.html，侵删。
在 3D 闪存方面，三星之前一直是领先的，不过美光去年率先量产了 176 层堆栈的闪存，要想追赶回来，三星最快今年底能量产 224 层堆栈的闪存，性能还会提升 30% 。
三星的 3D 闪存 V-NAND 目前发展到了第七代，最高 176 层，原本计划在去年底量产，但因为 NAND 闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年 Q1 季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。
不过三星在下一代闪存上有望追回来， 最快今年底明年初推出第八代 V-NAND 闪存，堆栈层数首次超过 200 层，之前传闻是 228 层，现在的说法是 224 层，相当于在 128 层基础上再堆栈 96 层。
消息称， 三星的 224 层闪存性能也很不错，数据速度提升了 30% ， 同时生产效率也提高了 30% 。
此外，三星的 224 层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现 128 层闪存的公司，这次的 224 层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。
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