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台积电今天不仅公布了 Nanosheet碳纳米片技术的开山之作N2 2nm工艺 ，还展示了FinFET鳍式晶体管的终结之作N3 3nm工艺，发展出了多达五种不同版本，也是历代工艺中最丰富的。
最早也是最标准的3nm， 今年下半年投入量产，预计明年初可以看到产品上市。
它面向有超强投资能力、追求新工艺的早期客户，比如苹果、AMD这种，但是应用范围较窄， 只适合制造特定的产品。
对比N5，功耗可降低约25-30％，性能可提升10-15％，晶体管密度提升约70％。
Ehanced增强版 ，近期就会风险性试产，明年年中规模量产，产品上市预计2023年底或2024年初。
它在N3的基础上 提升性能、降低功耗、扩大应用范围 ，对比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以将晶体管密度提升60％——是的，它的密度反而低于N3。
台积电还称，N3E可以达到比N4X更高的频率，后者明年投产。
密度增强版 ，细节不详。
超高性能版 ，不在乎功耗和成本，也是N4X的继承者。
值得一提的是， N3E工艺还可以根据客户需求定制栅极、鳍片数量，性能、功耗、面积指标也不一样，官方称之为“FinFlex”。
比如2个栅极1个鳍片，可以性能提升11％、功耗降低30％、面积缩小36％。
2个栅极2个鳍片，可以性能提升23％、功耗降低22％、面积缩小28％。
3个栅极2个鳍片，可以性能提升33％，功耗降低12％，面积缩小15％。
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