本文摘自太平洋电脑网,原文链接:https://news.pconline.com.cn/1506/15061008.html,侵删。
AMD 及 Intel 的新一代平台已经支持了 DDR5 内存,双通道的带宽轻松超过 50GB/s ,高频版的逐渐逼近 100GB/s ,然而这个性能跟 HBM3 内存比起来还是小巫见大巫,三星已经研发了新的 HBM3 内存,带宽轻松超过 1024GB/s 。
JEDEC 组织今年初发布了 HBM3 的标准,继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级,其中传输数据率在 HBM2 基础上再次翻番,每个针脚 (pin) 的传输率为 6.4Gbps ,配合 1024-bit 位宽,单颗最高带宽可达 819GB/s 。
三星研发的新一代 HBM3 内存阵脚速率更高,达到了 8Gbps/pin ,堆栈 4 颗的情况下带宽轻松达到 1024GB/s ,是 DDR5 内存的十几倍。
另外,频率越高的话出错也更多,为此三星还有更强的内存纠错功能, 每个 HBM 内存芯片都内置了 1 组 ECC 纠错电路 ,确保数据准确性。
三星的 HBM3 内存没有公布何时上市,不过真要应用的话应该也会首先用于数据中心显卡及处理器上,消费级平台使用的可能性不大,毕竟 HBM3 的成本是普通用户无法承受的。
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