本文摘自太平洋电脑网，原文链接：https://news.pconline.com.cn/1509/15091546.html，侵删。
据国外媒体报道，在推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电，在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展，预计在明年年中就将开始风险试产。
风险试产，也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。外媒在报道中也提到，在风险试产一年之后，台积电的这一制程工艺预计就将大规模量产。
从外媒的报道来看，台积电正在研发之中的2nm制程工艺，在风险试产时，良品率就会相当可观。外媒间流传的一份未注明来源的声明显示，台积电方面预计2nm制程工艺的良品率，在风险试产的2023年就将达到惊人的90%。
外媒在报道中提到，如果2nm工艺的良品率在风险试产期间就达到了90%，台积电就能很好的改进这一工艺，并推动在2024年大规模量产。
台积电正在推进的2nm制程工艺，在晶体管的架构方面将会有变化，不会继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET），而会采用全新的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构，也就是三星电子从3nm制程工艺就开始采用的晶体管架构，他们在去年4月份就已宣布，3nm制程工艺将采用多桥通道场效电晶体架构设计。
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